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當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 二維材料 > 其他二維材料 > NIR QDs近紅外PbSAg2S量子點(diǎn)
簡要描述：近紅外量子點(diǎn)具有玻爾半徑大、禁帶寬度小、能量轉(zhuǎn)換率較高等特點(diǎn)，在光電器件、通訊、發(fā)光二極管、太陽能電池等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。由于其發(fā)射的近紅外波長具有很強(qiáng)的組織穿透性和低背景高分辨率的生物成像性能，因此還被廣泛應(yīng)用于生物領(lǐng)域。應(yīng)用*專有技術(shù)合成近紅外量子點(diǎn)具有粒徑分布窄，色彩純度高，發(fā)射近紅外光，穩(wěn)定性好等優(yōu)異特性，且成本低，易于大規(guī)模量產(chǎn)。
更新時(shí)間：2024-06-02產(chǎn)品型號(hào)：NIR QDs 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家訪 問 量：960詳細(xì)介紹
我們可根據(jù)客戶需求，提供不同表面基團(tuán)、溶劑、濃度、780-1600nm間任一發(fā)射波長的近紅外PbS量子點(diǎn)和850nm-1250nm間任一發(fā)射波長的近紅外Ag2S量子點(diǎn)。
由于此款產(chǎn)品為定制款，標(biāo)價(jià)為參考價(jià)，具體價(jià)格請(qǐng)聯(lián)系在線客服
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